随着新能源与 5G 通信行业的快速发展，第三代半导体碳化硅芯片的需求激增，但其极高的硬度对传统切割技术提出严峻挑战。近期，校企联合研发的超快激光划片机成功实现技术突破，通过构建电子 - 晶格温度与应力波耦合模型，揭示了超短脉冲激光与碳化硅晶体的相互作用机制，推动加工质量指标较传统工艺提升两个数量级。

该设备采用飞秒激光隐切技术，在晶圆内部形成改质层后通过外力实现芯片分离，避免了机械切割的应力损伤。测试数据显示，其加工速度可达传统金刚石划片设备的 5 倍以上，且切割道宽度从 80μm 缩减至 15μm，单晶圆芯片产出量增加 13%-25%。目前该技术已进入样机调试阶段，预计未来五年内可带动相关产业链产值突破亿元，为新能源汽车、智能电网等领域提供关键支撑。